Samsung kompaniýasy Galaxy S27 hataryna (seriýasyna) güýç berjek innowasion sowadyş tehnologiýasyna eýe bolan täze flagman prosessory Exynos 2700 prosessoryny resmi taýdan tassyklaýar. Smartfon dünýäsinde öz prosessorlaryny işläp taýýarlaýan iri kompaniýalaryň biri bolan Samsung täze nesil flagman çipsetiniň üstünde ynamly ädimler bilen işini dowam etdirýär. Uzak wagtdan bäri dürli myş-myşlara sebäp bolan kompaniýanyň täze flagman prosessory iň ygtybarly ýolbaşçylaryň biri tarapyndan resmi taýdan tassyklanyldy.
Samsung System LSI bölüminiň prezidenti Park Yong-in, Exynos 2700 modeliniň işlenip taýýarlanyşynyň hiç hili bökdençsiz dowam edýändigini aýdyp, bu kuwwatly çipiň geljek ýyl bazara çykaryljak ýokary derejeli smartfonlarda ulanyljagyny tassyklaýar. Kompaniýanyň Galaxy S27 seriýasy bilen birlikde Exynos prosessorlarynyň ulanylyş paýyny artdyrmagy we daşarky üpjün edijilere bolan garaşlylygyny azaltmagy maksat edinýändigi mälimdir. Öndürijilik we energiýa netijeliligi taýdan uly mümkinçiliklere eýe bolan Exynos 2700 smartfonlardaky gyzmak meselesine garşy hödürleýän täze sowadyş arhitekturasy bilen hem üns merkezine düşýär.
Park Yong-inden resmi tassyklaýyş we Galaxy S27 maksady
Samsung smartfon bazarynda öz çipsetlerini ulanýan az sanly kompaniýalaryň biri hökmünde Exynos seriýasy sebäpli wagtal-wagtal tankyt edilse-de, bu ugurdaky ylmy-barlag we ösüş maýa goýumlaryny dowam etdirýär. Ýakynda geçirilen kompaniýa içindäki maglumat ýygnagynda çykyş eden Samsung Electronics System LSI bölüminiň prezidenti Park Yong-in Exynos 2700 çipsetiniň meýilleşdirilişi ýaly işlenip taýýarlanylýandygyny açyk aýtdy. Ýolbaşçy anyk modeliň adyny aýtmasa-da, bu beýanat gönüden-göni 2027-nji ýylyň başynda tanyşdyryljak Galaxy S27 seriýasyna gönükdirilýär.
Samsungyň umumy strategiýasy käbir bazarlarda Qualcomm-yň Snapdragon prosessorlaryny, beýleki bazarlarda bolsa öz Exynos prosessorlaryny ulanmakdan ybarat. Şeýle-de bolsa, soňky maglumatlara görä, Exynos 2700-niň üstünlik gazanmagyna baglylykda Samsung Galaxy S27 önümçiliginiň 50 göteriminde öz çipsetini ulanyp biler. Bu ädim çykdajylary azaltmak bilen birlikde, kompaniýanyň daşarky üpjün edijilere bolan garaşlylygyny hem ep-esli derejede peselder.
Täze dizaýn: Side-by-Side we Heat Path Block (HPB) tehnologiýasy
Enjam arhitekturasynyň jikme-jik maglumatlaryna seredilende, Exynos 2700 diňe bir has köp tranzistor ýa-da ýokary takt ýygylygyny hödürlemeýär. Çipiň içerki gurluşynda düýpli üýtgeşmeler girizilýär. Täze nesil prosessor Side-by-Side diýlip atlandyrylýan täze gurluş bilen işlenip düzülýär. Bu gurluşda prosessor (AP) we DRAM modullary şol bir platformanyň üstünde biri-biriniň gapdalynda ýerleşdirilýär. Öňki nesillerde bu komponentler biri-biriniň üstünde ýerleşdirilip, telefonyň çäkli giňişliginde ýylylygyň ýygnanmagyna we öndürijiligiň çäklendirilmegine sebäp bolýardy.
Täze arhitekturada bolsa komponentler gapdal-gapdala ýerleşdirilip, olaryň üstüne ýörite Heat Path Block (HPB – Ýylylyk Ýoly Bloky) mis sowadyjy goşulýar. Bu innowasion gurluş ýylylygy dolandyrmagy täze derejä çykarýar we prosessora güýçli ýük düşende emele gelýän ýylylygy çalt hem-de deň paýlaýar. Şol sebäpli ýadyň geçirijilik ukyby 30–40 göterim ýokarlanýar we aýratyn-da uzak wagtlap dowam edýän oýun sessiýalarynda ýa-da agyr iş ýüklerinde durnukly öndürijilik üpjün edilýär.
2 nm önümçilik prosesindäki kynçylyklar we maksatlar
Exynos 2700-niň esasy tehnologik üstünligi onuň önümçilik prosesinde gizlenýär. Samsung bu çipsetde öz zawodynda öndürilýän ikinji nesil 2 nm GAA (Gate-All-Around) tehnologiýasyna esaslanýan SF2P önümçilik prosesini ulanýar. Ýöne bu ösen tehnologiýanyň getiren käbir önümçilik kynçylyklary henizem saklanýar. Häzirki wagtda pudak çeşmeleri bu önümçilik liniýasynyň netijelilik derejesiniň takmynan 60 göterimdigini belleýär.
Bu bolsa öndürilen kremniý plastinalarynyň belli bir böleginiň talap edilýän hil standartlaryna laýyk gelmeýändigini we önümçilik çykdajylaryny ýokarlandyrýandygyny aňladýar. Muňa garamazdan, işlenip taýýarlanyş işleriniň bökdençsiz dowam etmegi kompaniýanyň bu meseläni çözmek üçin uly serişdeleri gönükdirýändigini görkezýär. Netijelilik artdygyça hem önümçilik çykdajylary azalýar, hem-de çipi smartfonlara ornaşdyrmak has girdejili bolýar.
Exynos 2700 bilen Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro-nyň bäsleşigi güýçlenýär
Smartfon senagaty 2027-nji ýylda Samsung Exynos 2700 bilen Qualcomm-yň iň güýçli wekili Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro arasynda ýiti bäsleşige şaýat bolmaga taýýarlanýar. Qualcomm-yň Galaxy S27 seriýasynda orun almak üçin LPDDR6 we LPDDR5X ýaly dürli RAM görnüşleri bilen üpjün edilen birnäçe Snapdragon wariantlaryny synagdan geçirýändigi mälimdir.
Emma Samsung AMD-niň RDNA 4 arhitekturasyna esaslanýan Xclipse derejeli GPU-sy we täze termal çözgütleri arkaly Exynos 2700-ni bazarda örän güýçli bäsdeş hökmünde hödürleýär. Bir ýadroly öndürijilikde Qualcomm-yň henizem azajyk öňde bolmagyna garaşylsa-da, Exynos 2700-niň täze sowadyş ulgamy sebäpli köp ýadroly öndürijilikde aratapawudy azaltmagy we enjamy salkyn ýagdaýda durnukly işletmegi garaşylýar. Samsungyň enjam üpjünçiligi ugrunda amala aşyrýan bu ösüşleri diňe bir öz mobil ekoulgamyny güýçlendirmek bilen çäklenmän, eýsem tehnologiýa dünýäsindäki innowasiýalaryň çäklerini hem giňeldýär.
