Технологические гиганты Samsung Electronics и Broadcom объявили о подписании меморандума о взаимопонимании (MOU) с целью расширения стратегического сотрудничества в сфере производства полупроводников и памяти для ИИ-инфраструктуры. Общий объем совместных проектов до 2030 года оценивается более чем в 200 миллиардов долларов.
Память HBM и 2-нанометровый техпроцесс
В рамках соглашения Samsung станет ключевым поставщиком высокоскоростной памяти HBM (High Bandwidth Memory) для ИИ-ускорителей Broadcom следующего поколения.
В сегменте контрактного производства (foundry) Broadcom задействует 2-нанометровые (2nm) и более продвинутые технологические нормы Samsung для выпуска своих решений в области беспроводной связи и сетевых чипов. Также стороны внедрят продвинутую компоновку интегральных схем (2.3D и 2.5D advanced packaging) для повышения энергоэффективности.
Президент Semiconductor Solutions Group в Broadcom Чарли Каввас отметил, что объединение экспертизы Samsung в области производства чипов с лидерскими позициями Broadcom в сетевых ИИ-технологиях позволит создать надежный фундамент для инфраструктуры будущего.
