Samsung täze LPDDR6 RAM bilen mobil emeli aň güjüni artdyrýar

Samsung, 2026-njy ýyl üçin enjamlaryň möwsümine  LPDDR6 mobil DRAM çipini tanyşdyrmak bilen ilkinji uly ädimini ätdi.

Häzirden “2026 innowasion baýragy” bilen sylaglanan bu täze ýat, esasan maglumat işlemek (Edge AI) we mobil enjamlar üçin batareýa ömrüni uzaltmak babatda möhüm kämilleşdirmeleri hödürleýär.

Samsung Foundry tarapyndan ösdürilen 12 nm önümçilik prosesi bilen öndürilen LPDDR6, teoriki taýdan 10,7 Gbps çenli tizlikleri goldaýar. Bu tizlik, häzirki iň çalt LPDDR5X modulynyň ýokary öndürijiligine deň bolsa-da, LPDDR6-nyň esasy tapawudy netijelilikde we howpsuzlykda bolýar.

Samsung, täze dinamik güýç dolandyryş ulgamyny integrirlemek arkaly LPDDR5X bilen deňeşdirilende güýji takmynan 21 göterim az sarp edýändigini habar berýär. Bu, esasan emeli aň (AI) programmalary ýaly agyr iş ýüklemelerinde telefonlaryň batareýa ömrüni goramak manysyna gelýär.

 Giriş, çykyş  sanynyň köpeldilmegi arkaly umumy tor giňligi artdyryldy we köpfunksiýaly we maglumat işleme öndürijiligi hasam ýokarlandyryldy.

LPDDR6 emeli aň (AI) ugruna gönükdirilendir. Öňdebaryjy mobil enjamlarda indi uly dil modelleri we emeli aň operasiýalary buluda bagly bolman ýerli derejede işledilip bilner. LPDDR6 bu tendensiýany aşakdaky aýratynlyklary bilen goldaýar:

Çaltlaşdyrylan emeli aň modelini ýüklemek: Has çalt maglumat elýeterliligi, enjamda emeli aň modelleriniň tiz ýüklenmegine mümkinçilik berýär.

Kämilleşen howpsuzlyk ulgamy: Çip, enjam içindäki emeli aň operasiýalary wagtynda maglumatlaryň howpsuz galmagy üçin goşmaça goraglar bilen üpjün edilendir.

LPDDR6-nyň tanyşdyrylyşy “sessiz” bolsa-da, geljekki mobil öndürijiligiň esasyny düzýär. Oppo Find X9 Ultra, Xiaomi 17 Ultra, Vivo X300 Ultra ýa-da Samsung Galaxy S26 Ultra ýaly 2026-njy ýylyň flagman modelleriniň käbiriniň bu täze, has netijeli RAM tehnologiýasyny ulanmagy we bäsdeşlikde öňe geçmegi, ulanyjy tejribesini ýokarlandyrmagy maksat edinýändigini görkezer.