Halkara emeli aň (AI) düzüminde we yarymgeçirijiler (semiconductor) senagatynda täze uly hyzmatdaşlyk ýola goýuldy. Samsung Electronics we Broadcom şereketleri ýokary öndürijilikli HBM ýatlaryny we 2 nanometrli (2nm) guýma sehi (foundry) tehnologiýalaryny bilelikde ösdürmek üçin özara düşünişmek hakynda ähtnama (MOU) gol çekdiler. San-Fransisko şäherinde geçirilen “AI Summit” çäresinde yglan edilen bu hyzmatdaşlygyň göwrümi 2030-njy ýyla çenli 200 milliard dollardan geçere garaşylýar.
HBM ýady we 2 nanometrli tehnologik proses
Baglaşylan ylalaşyga görä, Samsung şereketi Broadcom-yň täze nesil AI tizlendirijileri (accelerators) üçin ýokary tizlikli HBM (High Bandwidth Memory) ýat çözgütlerini üpjün eder.
Foundry (guýma sehi) tarapynda bolsa Broadcom-yň simsiz aragatnaşyk we tor önümleri üçin Samsung-yň 2 nanometr we ondan hem inçe önümçilik prosesleri ulanylar. Şeýle hem, ikitaraplaýyn hyzmatdaşlyk 2.3D we 2.5D ýaly öňdebörüji gaplama (advanced packaging) çözgütlerini öz içine alar.
Samsung Electronics-iň DS bölüminiň ýolbaşçysy Young Hyun Jun bu barada şeýle diýdi:
“Emeli aň bellek, logika we öňdebörüji gaplama tehnologiýalaryny özünde jemleýän yarymgeçirijiler üçin uly isleg döredýär. Broadcom bilen hyzmatdaşlygymyzy giňeltmek arkaly gelejegiň AI altyasyny bilelikde kämilleşdirýäris.”
 önümçiligini ösdürmek üçin 200 milliard dollardan gowrak maýa goýumly täze şertnama gol.){kind=link}